產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 實(shí)現(xiàn)亞納米薄膜涂層、納米顆粒、劃痕、凹坑、凸起、應(yīng)力點(diǎn)和其他缺陷的全表面掃描和成像。

• 實(shí)用于透明、硅、化合物半導(dǎo)體和金屬基底。

• 在2分鐘內(nèi)掃描并顯示300毫米晶圓。

• 動(dòng)態(tài)補(bǔ)償表面翹曲。

• 可以標(biāo)刻出缺陷的位置，以便進(jìn)一步分析。

• 可容納高達(dá)450 x 450 mm的非圓形和易碎基板。

• 能夠通過(guò)一次掃描分離透明基板上的頂部/底部特征。

系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)的四個(gè)檢測(cè)通道：

• 偏光（污漬、薄膜不均勻性） 
  

• 坡度（劃痕、表面形貌）
  

• 反射率（內(nèi)應(yīng)力、條紋）
  

• 暗場(chǎng)（顆粒、夾雜物）

AT2應(yīng)用：

1.透明基底上的缺陷

2.單層污漬或薄膜不均勻性

3.化合物半導(dǎo)體的晶體缺陷

在化合物半導(dǎo)體基底和外延生長(zhǎng)層上檢測(cè)和分類多種類型的晶體缺陷

AT2的多用途：

• 缺陷類型
  

• 薄厚基板

• 透明和不透明基板

• 電介質(zhì)涂層

• 金屬涂層

• 鍵合硅片

• 開(kāi)發(fā)和在線生產(chǎn)

AT2 軟件使用來(lái)自多個(gè)探測(cè)器任意組合的數(shù)據(jù)生成缺陷圖和報(bào)告：

• 地圖和位置
  

• 缺陷數(shù)量
  

• 彩色編碼缺陷
  

• 缺陷尺寸